VACUUM DEVICE磁控濺射沉積設(shè)備的使用流程

產(chǎn)生等離子體的氣體

氬氣主要用作真空設(shè)備中產(chǎn)生等離子體所必需的氣源。
使用氬氣是因?yàn)樗哂卸栊裕灰着c其他元素發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，濺射率高。
它的另一個(gè)特點(diǎn)是廣泛使用價(jià)格低廉的高純度氣體。

第一次電離

當(dāng)在電極之間施加超過一定水平的電壓時(shí)，熱電子從陽極側(cè)發(fā)射。
當(dāng)這些熱電子與氬氣碰撞時(shí)，更多的電子在連鎖反應(yīng)中一個(gè)接一個(gè)地被射出并電離，使氬氣變成正離子。這時(shí)，電離的電子在試圖恢復(fù)到原來的狀態(tài)時(shí)會(huì)發(fā)光。這就是等離子看起來有光澤的原因。

磁控管等離子體狀態(tài)

在等離子體中，預(yù)電離的氬原子、發(fā)射的電子和正電離的氬原子處于不穩(wěn)定和混亂的狀態(tài)。 發(fā)射出的電子被磁控管的磁力線俘獲，一邊反復(fù)做圓周運(yùn)動(dòng)，一邊與氬氣分子一個(gè)接一個(gè)地反復(fù)碰撞。磁控管的濺射效率好，是因?yàn)殡娮颖淮艌霾东@，促進(jìn)了氬氣的電離。 磁控濺射的等離子體局部明亮，因?yàn)槟抢锎艌黾校?jīng)常發(fā)生電離。

濺射

正電離的氬氣被吸引到帶負(fù)電的靶表面并與其高速碰撞。
靶材金屬粒子因與靶材的碰撞力而濺射而出。 噴射出的目標(biāo)金屬顆粒在與氣體分子碰撞的同時(shí)到達(dá)樣品。 當(dāng)金屬顆粒相互碰撞時(shí)，一些顆粒會(huì)生長。 將粉雪落在樣本上的圖像是個(gè)好主意。 最終到達(dá)樣品的金屬顆粒一個(gè)接一個(gè)聚集形成薄膜。 由于粒徑因金屬的種類而異，因此需要選擇適合的金屬來制作所需的薄膜。

概括

• 在等離子體中，氣體分子和負(fù)離子處于不穩(wěn)定狀態(tài)。

• 當(dāng)電離的負(fù)離子試圖恢復(fù)到原來的狀態(tài)時(shí)發(fā)光。

• 加上正離子與負(fù)靶碰撞。

• 散落的目標(biāo)金屬顆粒與氣體分子碰撞并聚集在樣品上。

• 不同的金屬有不同的粒徑。

相關(guān)產(chǎn)品介紹

設(shè)備	特征	目標(biāo)金屬
	MSP-mini 超小型濺射設(shè)備 對于光學(xué)顯微鏡，這是適合制作有光澤的 Ag 薄膜以及 SEM 和臺(tái)式 SEM 預(yù)處理的裝置。
	MSP-1S 是一款帶有內(nèi)置泵的緊湊型濺射系統(tǒng)。 也可用于濺射鉑靶，可用于高達(dá)約50,000倍的高倍率觀察。

設(shè)備	特征	目標(biāo)金屬
	MSP-20UM 針對各種應(yīng)用的可調(diào)功能。設(shè)置條件后，可以使用全自動(dòng)按鈕進(jìn)行自動(dòng)沉積。 可選傾斜旋轉(zhuǎn)樣品臺(tái)。提高轉(zhuǎn)彎性能。 配備氬氣導(dǎo)入，可鍍上更高純度的貴金屬薄膜。 聯(lián)鎖和安全機(jī)構(gòu)也是重要的濺射設(shè)備。
	MSP- 20MT 配備φ100mm尺寸的靶電極的4英寸晶圓用濺射裝置。 該設(shè)備概念基于 MSP-20，可對更廣泛的樣品進(jìn)行涂層。
	該設(shè)備專為MSP-20TK鎢濺射而開發(fā)。它還可用于超高分辨率 SEM 觀察。大容量電源可以濺射貴金屬以外的多種金屬。 氬氣用作氣氛氣體。風(fēng)冷磁控管靶可減少樣品損壞并防止靶溫升。

設(shè)備	特征	目標(biāo)金屬
	采用磁控靶電極實(shí)現(xiàn)了直徑200mm的大面積樣品臺(tái)，滿足更大尺寸MSP-8in硅基板的需求。更大的樣品臺(tái)可同時(shí)鍍膜8英寸晶圓和多個(gè)SEM樣品，提高檢測工作效率。
	采用磁控靶電極實(shí)現(xiàn)了直徑300mm的大面積樣品臺(tái)，滿足更大尺寸MSP-12in硅基板的需求。更大的樣品臺(tái)可同時(shí)鍍膜12英寸晶圓和多個(gè)SEM樣品，提高檢測工作效率。

設(shè)備	特征	目標(biāo)金屬
	MSP-40T 多用途實(shí)驗(yàn)沉積系統(tǒng)。新型號(hào)配備了全自動(dòng)沉積功能。 高效沉積，高速排氣，操作簡單。使用強(qiáng)磁場可以形成多金屬膜。 渦輪泵和隔膜泵可實(shí)現(xiàn)清潔的高真空。是一款價(jià)格低廉，性價(jià)比好的設(shè)備。 沉積靶材：Au、Ag、Pt、Au-Pd、Pd、Cu、Cr、Pt-Pd、Ni、Fe、W、Mo、Ta、Ti、Al、ITO等。 可以濺射各種金屬靶材。對于未列出的目標(biāo)，請隨時(shí)與我們聯(lián)系。